Comment le graphène est-il préparé dans le kit de préparation de dispersion de graphène ?

Système de dispersion de graphène, le graphène (graphène) est un matériau bidimensionnel composé d'atomes de carbone avec des orbitales hybrides sp2 composées de films plats à réseau en nid d'abeille hexagonal, seulement une épaisseur d'atome de carbone. Le graphène est actuellement le nanomatériau le plus dur au monde. Il est presque transparent, n'absorbant que 2,3 % de la lumière. La conductivité thermique est aussi élevée que 5300W/m, supérieure aux nanotubes de carbone et au diamant, la mobilité des électrons à température ambiante est supérieure à 15000cm2/Vs, et supérieure aux nanotubes de carbone ou aux cristaux de silicium, et la résistivité électrique n'est que d'environ {{7 }}Ω/m, inférieur au cuivre ou à l'argent, pour les matériaux à résistivité la plus faible au monde. Le graphène a une excellente conductivité électrique, conductivité thermique et résistance mécanique. Le matériau composite à base de graphène et d'EP peut tirer pleinement parti des avantages des deux, montrant que la conductivité thermique, l'électromagnétisme, la résistance à la traction et le module du matériau composite sont considérablement améliorés. Préparation de dispersion de graphène.

Comment le graphène est-il préparé ?

Il s'agit principalement des éléments suivants :

1. Avantages de la méthode de décapage mécanique : le coût de préparation est très faible (presque négligeable), facile à apprendre, et le graphène obtenu par cette méthode est de très bonne qualité, peu de défauts, d'excellentes performances Inconvénients : la taille du graphène obtenu est petite , généralement entre 10-100um, et il est impossible de se préparer à grande échelle.

2. Avantages de la croissance épitaxiale du SiC : il peut se développer dans une grande taille (une taille de 4 pouces a été signalée) et le graphène obtenu a d'excellentes performances. Inconvénients: coût élevé des matières premières, coût élevé de l'équipement, température de croissance élevée (1400 degrés), équipement général impossible à atteindre et il est difficile de faire pousser du graphène de trop grande taille.

3. Avantages de la méthode de réduction de l'oxyde de graphite : méthode simple, faible coût des matières premières, pratiquement aucun coût d'équipement et désavantages de préparation faciles à mettre à l'échelle : le graphène obtenu par cette méthode présente de nombreux défauts, les propriétés électriques et mécaniques sont médiocres.

4.CVD, les avantages de la méthode de dépôt chimique en phase vapeur : la taille de croissance unique peut être grande (près de 20 pouces), il est possible d'augmenter la production et le graphène développé a de bonnes performances et peu de défauts. Inconvénients : le transfert est difficile, et le graphène cultivé est généralement polycristallin.